Kristalline Silizium-Germanium (SiGe)-Legierungen können - neben anderen Anwendungen - ein guter Ersatz für die Silizium-Absorberschicht in Dünnschichtsolarzellen sein. Die erhöhte Absorption von SiGe im Vergleich zu Si macht SiGe zu einem vielversprechenden Material für die nächste Generation Solarzellen, die höchst wahrscheinlich auf der Dünnschichttechnologie basieren werden. Dünnschichtsolarzellen werden auf einem tragenden Substrat hergestellt und erfordern weniger als ein Zehntel des Materials, das in den Absorberschichten der Standardwafer-Solarzellentechnologie benötigt wird.Die Arbeit konzentriert sich auf die Eigenschaften von polykristallinen SiGe-Dünnschichten auf Glassubstrat, die mittels Excimerlaser hergestellt werden. Zahlreiche Charakterisierungsmethoden werden verwendet, um diese Schichten für Solarzellenanwendungen zu untersuchen, wie Rasterelektronenmikroskopie (REM), Kraftmikroskopie (AFM), Energiedispersive Röntgenanalytik (EDX), Transmission-Reflexions-Messungen, Deflektionsspektroskopie (PDS), Elektronenspinresonanz (ESR), Photoluminiszenz und Hall-Effekt-Messungen.Geplant ist, die gewonnenen Erkenntnisse zum Bau einer Prototyp-Solarzelle zu nutzen.